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怎麼辦?EUV光刻機前進的3個方向,已全部是絕路
2023/12/21

眾所周知,隨著芯片工藝的不斷前進,光刻機也是不斷的改進,越來越先進,越來越精密。

比如普通DUV光刻機,只能生產最低65nm的芯片,而浸潤式DUV光刻機,則能生產最低7nm芯片,EUV光刻機則能生產5nm及以下的芯片。

可以說芯片工藝,與光刻機是相互促進的。

有了先進的光刻機,才能生產先進工藝的芯片。同時先進工藝的芯片,又推動光刻機的發展。

按照專家們的說法,目前的EUV光刻機,理論上能夠制造2nm左右的芯片,而下代的EUV光刻機,理論上能夠制造1nm左右的芯片。

然后芯片工藝想要再進前,則需要EUV繼續升級突破,或者換成另外的光刻機,那麼問題來了,EUV光刻機之后,光刻機的發展會是朝哪里突破?

事實上, 三十年來ASML的技術領路人,ASML的 聯席總裁范登布林克就表示過,當EUV光刻機出貨NA=0.55的High-NA EUV光刻機后,就無法再前進了,這將是最后一代EUV產品。

為何這麼說呢,因為從現有的技術來看,EUV光刻機前進的三個方向,都已經是絕路了,至少在

范登布林克認為,目前已經是技術的極限,跨不過去了。

對于EUV光刻機而言,突破只能從三個方向去努力。

一個方向是將13.5nm波長的光源換成更小波長的光源,但是目前的實驗表明,波長再低,會被幾乎所有的材料吸收,必須通過反射鏡來反射,而經過收集反射后,光損失會非常嚴重,無法收集到足夠的能量來進行光刻。

第二個方向則是提高NA值,也就是數值孔徑,因為NA越大, 收集和聚焦光就越多,但ASML認為,達到0.55后,也無法提升了。

還有一個方向則是提高 光刻工藝因子,從而提高光刻的分辨率,但ASML認為,目前也達到了物理極限,供應鏈們難有突破。

所以ASML認為,當NA推進到0.55之后,EUV光刻機的發展,就達到了盡頭,前面就是絕路了,至于接下來會是什麼樣的光刻機,ASML也沒想清楚。

也許需要林本堅當初提出浸潤式光刻機這種顛覆性的思路,也許要換成其它類型的光刻機。不過 ASML日前已經宣布,聯席總裁溫寧克和范登布林克明年4月份退休,所以接下來突破的事,要交給他們的繼任者了。

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