最近網上又有眾多的關于EUV光刻機突破的消息,這些內容真真假假,讓網友們沸騰了一次又一次。
但與此同時,也讓網友們有了更多的疑問,那就是國產光刻機,究竟發展到哪一步了?
事實上,目前門面上對外公開的技術,我們最先進的光刻機是上海微電子的SSA600/20系列,分辨率是90nm。
這是一台DUV光刻機,但是干式的那一種,光源是193nm波長的深紫外線,這種DUV光刻機,其最高支持的工藝是65nm。
不過按照網友們的猜測,這只是對外公開的,不對外公開的肯定不止,那麼究竟有沒有更先進的光刻機,這個我不去猜測,我也不清楚。
不過,我可以從光刻機的三大核心器件,來分析一下,目前這三大器件發展到什麼程度了,大家根據這幾大器件來參考一下吧。
光刻機的三大核心器件,分別是光源、物鏡系統、工作台。
光源很容易理解,比如193nm波長的深紫外線,然后就是13.5nm的極紫外線。其中DUV光刻機,包含浸潤式光刻機,均是采用193nm波長。
只是浸潤式光刻機中,在工作台上面,會有一層水,而193nm波長的光源,經過水時會進行折射,等效于134nm波長的光源了。
目前國產光刻機,采用的是193nm的光源,至于13.5nm波長的極紫外線,目前沒有搞定,前幾天清華大學的那個SSMB-EUV方案,至少目前還沒有真正搞定。
再說物鏡系統,這里主要指的是蔡司提供給ASML的光學系統,目前全球能夠生產浸潤式光刻機物鏡系統,包括EUV光刻機物鏡系統的廠商,全球只有一家,那就是蔡司。
國內有了DUV干式光刻機,所有了DUV干式光刻機的物鏡系統,之后還有浸潤式光刻機的物鏡系統,還有EUV光刻機的物鏡系統,這是兩個很大的坎。
最后說說工作台,工作台由曝光台、流量台兩部分組成,也就是雙工作台。
目前國內的技術,也是DUV光刻機的工作台,不過據說差別不是特別大,所以這一塊應該不是太難的點。而浸潤式光刻機的工作台,又有一點不一樣,在工作台上面,有一層浸潤式系統,這個至少沒有公開資料顯示,我們有沒有搞定也不清楚了。
事實上除了這三大核心器件之外,像光束矯正器、光束形狀設置、遮光器、能量探測器等等,都是非常有難度的,并且不同的光刻機,要求都不一樣,并不能通用的。
所以,網上什麼這個突破,那個突破,也要看情況,單一的EUV光源或某件東西的突破,并不能讓整個光刻機技術突破,需要眾多的突破一起才行。
當然,正如我前面所言,這些都是明面上的東西,也許我們特意低調,悶聲發財,不對外公布也是有可能的,所以本文僅供參考。