眾所周知，隨著芯片技術不斷進步，晶體管技術也在不斷的進步。

14nm時進入了FinFET晶體管工藝，而在3nm時，三星使用了 GAAMCFET（多橋通道FET）工藝，而台積電依然使用FinFET晶體管技術。

但是當進入到2nm時，不管是台積電，還是英特爾，都會使用GAAFET晶體管技術，因為FinFET晶體管技術太老了，不足以撐到2nm。

GAAFET全稱為：Gate-all-around Field Effect Transistor/Gate-all-around FET；中文名為：環繞柵極場效應晶體管。

與FinFET相比，GAAFET更復雜，能大幅增強對載流子控制，同時閾值電壓更低，這樣性能更好，漏電功能更低。

目前國內的晶圓廠，進入了14nm工藝，也掌握了FINFET晶體管技術，比如中芯的14nm工藝，就被命名為FinFET工藝。

而GAAFET晶體管技術，是FinFET晶體管的下一代技術，所以美國就玩起了小心思，不想讓中國掌握這個技術。

所以在2020年的時候，就制定了針對GAAFET技術的出口禁令，任何與GAAFET相關的技術，都不準輸出給中國，包括EDA軟件等等。

當時，很多媒體表示稱，我們若想指望海外技術轉移，來升級GAA工藝也是沒可能的，我們只能靠自己，來研發出屬于自己的GAAFET晶體管技術。

而近日，國內GAAFET晶體管技術有了突破，國產存儲巨頭長鑫存儲，在舊金山舉行的IEEE國際電子元件年會（IEDM）上，展示下一代GAA架構技術，而該技術可用于打造3nm邏輯芯片。

當然，長鑫存儲是DRAM內存廠商，本身并不生產邏輯芯片，所以長鑫也表示這個技術與長鑫的產品無關，也并不會現在就用于長鑫的產品中。

但這也說明，長鑫實際上已經在最先進的晶體管架構方面取得進展，這也意味著「突破了美國制裁」，長鑫或者說中國的芯片技術，離最先進的研究和技術不遠，落后三星并不太多，全球目前也就三星有了GAAFET產品。

當然，從論文到最終落地，可能需要N久的時間，但不可否認的是，這讓我們看到了國內廠商們的實力和突破，大家和全球頂尖水平，差的并不太遠，最重要的是大家一直是在不斷進步的，你覺得呢？

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