眾所周知,隨著芯片技術不斷進步,晶體管技術也在不斷的進步。
14nm時進入了FinFET晶體管工藝,而在3nm時,三星使用了GAAMCFET(多橋通道FET)工藝,而台積電依然使用FinFET晶體管技術。
但是當進入到2nm時,不管是台積電,還是英特爾,都會使用GAAFET晶體管技術,因為FinFET晶體管技術太老了,不足以撐到2nm。
GAAFET全稱為:Gate-all-around Field Effect Transistor/Gate-all-around FET;中文名為:環繞柵極場效應晶體管。
與FinFET相比,GAAFET更復雜,能大幅增強對載流子控制,同時閾值電壓更低,這樣性能更好,漏電功能更低。
目前國內的晶圓廠,進入了14nm工藝,也掌握了FINFET晶體管技術,比如中芯的14nm工藝,就被命名為FinFET工藝。
而GAAFET晶體管技術,是FinFET晶體管的下一代技術,所以美國就玩起了小心思,不想讓中國掌握這個技術。
所以在2020年的時候,就制定了針對GAAFET技術的出口禁令,任何與GAAFET相關的技術,都不準輸出給中國,包括EDA軟件等等。
當時,很多媒體表示稱,我們若想指望海外技術轉移,來升級GAA工藝也是沒可能的,我們只能靠自己,來研發出屬于自己的GAAFET晶體管技術。
而近日,國內GAAFET晶體管技術有了突破,國產存儲巨頭長鑫存儲,在舊金山舉行的IEEE國際電子元件年會(IEDM)上,展示下一代GAA架構技術,而該技術可用于打造3nm邏輯芯片。
當然,長鑫存儲是DRAM內存廠商,本身并不生產邏輯芯片,所以長鑫也表示這個技術與長鑫的產品無關,也并不會現在就用于長鑫的產品中。
但這也說明,長鑫實際上已經在最先進的晶體管架構方面取得進展,這也意味著「突破了美國制裁」,長鑫或者說中國的芯片技術,離最先進的研究和技術不遠,落后三星并不太多,全球目前也就三星有了GAAFET產品。
當然,從論文到最終落地,可能需要N久的時間,但不可否認的是,這讓我們看到了國內廠商們的實力和突破,大家和全球頂尖水平,差的并不太遠,最重要的是大家一直是在不斷進步的,你覺得呢?
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