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進入14nm工藝,國產光刻膠大突破,減少對日本的依賴
2023/12/04

目前的芯片制造工藝,均是光刻工藝,即通過光學--化學反應原理,將電路圖傳遞到硅晶圓上,形成有效的電路圖形。

而光刻工藝過程中,除了光刻機這種設備之外,還有一種化學材料必不可少,那就是光刻膠,它是 光刻工藝中最核心的耗材,其性能決定著光刻質量。

大家都清楚,目前光刻機領域,日本處于壟斷地位,拿下了全球80%以上的份額,特別是在高端光刻膠領域,更是壟斷著市場,比如EUV光刻膠,全球僅日本廠商能夠制造。

這對于中國芯而言,肯定是無法接受的事情,因為供應鏈被日本壟斷,就有著斷供的風險,所以這些年,中國光刻膠雖然一直以中低檔產品為主,但 高端領域正在逐步突破過程中,國產替代正在持續進行。

從具體的分類來看,光刻膠分為

半導體光刻膠、LED光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠。其中半導體光刻機難度最高。

半導體光刻膠按照工藝的先進性,又分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠、I/G線光刻膠,這些光刻膠與光刻機又是一一對應,比如EUV光刻膠用于EUV光刻機,ArF光刻膠用于ArF光刻機。

由于國產光刻膠本來就起步晚,之前國產光刻膠,最多達到干式的ArF階段,也就是干式ArF光刻機能夠使用的光刻膠,從對應的芯片工藝來看,最高就是65nm左右。

不過近日,有國產廠商徐州博康表示,他們的2款濕法光刻膠,正在產品驗證導入階段,最高可以實現14納米節點。

另外他們的I線光刻膠有15款產品,KrF光刻膠有30款產品,ArF光刻膠有26款產品,足以對日本的眾多光刻膠進行國產替代。

事實上,研發光刻膠真的不容易,因為光刻膠是一些化學材料合成到一起的, 研發過程就是是一個不斷進行配方調試的過程。

而配方則是成百上千的樹脂、光酸和添加劑的排列組合,要不斷的嘗試、驗證,調整,最后才成研制出來,更重要的是,研發光刻膠,也不能買現成的來反向分析構成,因為一些材料混合一起后,成本會發生變化,分析不出來的。

同時材料的提純等,也考驗廠商的能力,就算你知道某些材料的構成,但如果提純能力達不到,也是研制不出來成熟的光刻膠。

中國是全球第一大芯片市場,這幾年芯片產能不斷增長,更是制定了實現70%自給率的目標,所以對光刻膠的需求也是越來越大,同時隨著工藝推進,對高端光刻膠的需求也大增。

所以國產光刻膠廠商,還得繼續努力,完善產業鏈,加快供應鏈本土化,為光刻膠國產化貢獻力量,早點進入7nm,甚至5nm、3nm,真正解決后顧之憂。

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