以現有的芯片工藝研發更先進的性能一直都是國產芯片努力的方向，為此國產芯片做出了多種努力，而近日業界人士指出國產芯片可以用14納米乃至28納米工藝做出7納米性能的芯片，給予國產芯片啟發。
近日中國半導體行業協會，集成電路設計分會理事長魏少軍，在最近的演講中疑似披露相關信息，表示用14納米乃至28納米做出7納米的性能才是高手，并以mate60和長江存儲的存儲芯片為例子，這似乎解釋了這款芯片的工藝。
這家科技企業的5G芯片工藝一直都受到國內外的關注，外媒認為是7納米工藝，而國內相關媒體一直沒有確認相關的消息，該企業也沒有給予正面回應，這次魏少軍的說法或許說明了這款5G芯片是以國產的14納米工藝做出了7納米的性能。
為了提升現有的工藝性能，國產芯片推進了小芯片、芯片堆疊等技術，希望以這些技術提升現有的14納米、28納米工藝的性能，如今魏少軍的說法印證了，國產芯片確實可以利用這些創新科技提升芯片性能。
以創新的芯片技術提升芯片性能也是全球芯片行業努力的方向，台積電、Intel等組織了chiplet芯片聯盟，也是希望以創新的技術提升芯片性能、降低成本。
芯片行業如此做，在于芯片制造工藝推進的難度越來越大，台積電達到3納米工藝就發現工藝良率低至55%，而生產的A17處理器性能提升幅度僅有10%還存著發熱問題，這與台積電此前宣稱的3納米工藝提升性能25%、功耗降低30%并不相符，證明了先進工藝的推進難度越來越大。
事實上，當前台積電、三星的先進工藝也備受質疑，外媒認為它們的10納米以下工藝屬于數字游戲并未延續摩爾定律，Intel也曾列舉參數指出台積電、三星的7納米工藝只是相當于Intel的10納米工藝，這都說明先進工藝的研發其實早已變樣。
對于中國芯片來說，開發先進工藝則受制于芯片設備，由于眾所周知的原因，光刻機巨頭ASML至今未能為中國芯片提供EUV光刻機，這就導致中國研發7納米及以下工藝面臨重重阻礙。
為了推進先進工藝，中國一直都在努力完善芯片產業鏈，目前中國的芯片制造環節大多都已達到14納米，隨著浸潤式光刻機的研發成功，國產芯片產業鏈已能基本完成14納米工藝的國產化。
如果這款5G芯片證明了可以用14納米工藝生產出7納米工藝性能的芯片，那麼中國的諸多芯片都能以類似的技術達到較為先進的水平，業界人士指出只要能開發出相當于7納米性能的芯片將能滿足國內九成的芯片需求，國產芯片自給率將大幅度提升。
由于國產芯片產業鏈的進展，ASML自9月份開始為中國供應可以用于7納米工藝的2000i光刻機，如此情況下再輔以相關的技術，或許不久的未來國產芯片達到5納米工藝的性能也是有可能性的。
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