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重大突破,國產芯片公布3納米關鍵技術,台積電也未能實現
2023/12/18

據媒體報道指,在美國第69屆IEEE國際會議上,國產芯片企業發布了一項GAA(環繞柵極)技術,該項技術為3納米的關鍵技術,顯示出國產芯片并未因為芯片設備的限制而停止研發先進工藝。

GAA技術對于3納米及以下工藝非常重要,目前僅有三星在3納米工藝上采用GAA技術,不過也由于三星激進地采用GAA技術,導致它的3納米工藝良率偏低,有業界人士指出三星的3納米工藝良率可能低至10%-20%。

台積電則較為保守,它在3納米工藝上仍然采用FinFET技術,這確保了台積電的3納米工藝順利良率,良率則達到55%左右,雖然它的3納米工藝良率高于三星,但是仍然未達到3納米工藝的90%良率。

台積電因為在3納米工藝上未采用GAA技術,導致3納米性能不佳,生產的A17處理器性能僅提升了10%,還存在功耗過高的問題。

這也導致高通和聯發科放棄了3納米工藝,而繼續采用4納米工藝,目前台積電的3納米工藝僅有蘋果一家客戶。

業界預期台積電明年應該會引入GAA技術,以進一步提升工藝性能,滿足高通、NVIDIA等美國芯片對性能的要求,當然更重要的是提升良率,過低的良率導致目前的3納米工藝成本偏高,讓芯片企業難以承受。

由此可見GAA技術的重要性,中國芯片提前研發,可為未來量產3納米做準備,畢竟這些技術的難度極大,需要芯片行業耗費很多年時間去探索、改善,進而真正用于芯片制造中。

由于眾所周知的原因,中國一直無法獲得先進的EUV光刻機,這也導致中國研發7納米及以下工藝面臨著巨大的困難,但是中國一直都沒有放棄研發先進工藝的努力。

台積電前副總林本堅被譽為浸潤式光刻機之父,他認為中國芯片完全可以利用現有的芯片設備開發出7納米乃至5納米工藝,而早前中國一家手機企業發布5G手機,就被認為接近7納米工藝,凸顯出中國利用現有設備發展先進工藝。

如此情況下,中國芯片行業率先研發可用于3納米的GAA技術并不奇怪,這也說明中國的芯片技術人才確實有天分,畢竟Intel當年發展芯片制造工藝過程中就有華人發揮了重要作用,台積電更是華人在芯片技術方面具有天賦的證明。

中國及早開始為先進工藝儲備相關的技術,可以為中國未來量產先進工藝做好充分的準備,畢竟芯片制造是一條很長的產業鏈,需要各方面的技術和設備都達到某個階段才能實現量產,在一些可以突破的環節先行推進,實現點突破,直到其他短板跟上,最終實現全面突破。

這樣的做法是一種務實的做法,中國高科技的許多行業正是這樣點點滴滴的進步,最終實現了重大進步,各個行業的科技人才的努力,為中國高科技的發展做出了貢獻。

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