據媒體報道指，在美國第69屆IEEE國際會議上，國產芯片企業發布了一項GAA（環繞柵極）技術，該項技術為3納米的關鍵技術，顯示出國產芯片并未因為芯片設備的限制而停止研發先進工藝。

GAA技術對于3納米及以下工藝非常重要，目前僅有三星在3納米工藝上采用GAA技術，不過也由于三星激進地采用GAA技術，導致它的3納米工藝良率偏低，有業界人士指出三星的3納米工藝良率可能低至10%-20%。

台積電則較為保守，它在3納米工藝上仍然采用FinFET技術，這確保了台積電的3納米工藝順利良率，良率則達到55%左右，雖然它的3納米工藝良率高于三星，但是仍然未達到3納米工藝的90%良率。

台積電因為在3納米工藝上未采用GAA技術，導致3納米性能不佳，生產的A17處理器性能僅提升了10%，還存在功耗過高的問題。

業界預期台積電明年應該會引入GAA技術，以進一步提升工藝性能，滿足高通、NVIDIA等美國芯片對性能的要求，當然更重要的是提升良率，過低的良率導致目前的3納米工藝成本偏高，讓芯片企業難以承受。

由此可見GAA技術的重要性，中國芯片提前研發，可為未來量產3納米做準備，畢竟這些技術的難度極大，需要芯片行業耗費很多年時間去探索、改善，進而真正用于芯片制造中。

由于眾所周知的原因，中國一直無法獲得先進的EUV光刻機，這也導致中國研發7納米及以下工藝面臨著巨大的困難，但是中國一直都沒有放棄研發先進工藝的努力。

台積電前副總林本堅被譽為浸潤式光刻機之父，他認為中國芯片完全可以利用現有的芯片設備開發出7納米乃至5納米工藝，而早前中國一家手機企業發布5G手機，就被認為接近7納米工藝，凸顯出中國利用現有設備發展先進工藝。

如此情況下，中國芯片行業率先研發可用于3納米的GAA技術并不奇怪，這也說明中國的芯片技術人才確實有天分，畢竟Intel當年發展芯片制造工藝過程中就有華人發揮了重要作用，台積電更是華人在芯片技術方面具有天賦的證明。

中國及早開始為先進工藝儲備相關的技術，可以為中國未來量產先進工藝做好充分的準備，畢竟芯片制造是一條很長的產業鏈，需要各方面的技術和設備都達到某個階段才能實現量產，在一些可以突破的環節先行推進，實現點突破，直到其他短板跟上，最終實現全面突破。

這樣的做法是一種務實的做法，中國高科技的許多行業正是這樣點點滴滴的進步，最終實現了重大進步，各個行業的科技人才的努力，為中國高科技的發展做出了貢獻。

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