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美國的目的暴露了,奪下6台EUV光刻機推進2納米,反超台積電
2023/12/23

日前消息指光刻機巨頭ASML預計明年量產10台第二代EUV光刻機,其中6台已確定被美國芯片企業Intel奪下,剩下的兩台將由三星和台積電競爭,如此一來拿到更多第二代EUV光刻機的美國可望率先量產2納米,反超台積電。

一、第二代EUV光刻機的重要性

目前台積電和三星都是以第一代EUV光刻機生產3納米工藝,導致它們的良率偏低。台積電生產的3納米采用FinFET技術,保守的態度確保3納米工藝的良率達到55%,卻也導致性能偏低,生產的A17處理器性能僅提升一成而功耗過高。

三星激進地采用GAA技術,3納米工藝的性能應該會更高,但是3納米良率卻低至兩成以下,過低的良率導致三星的3納米工藝至今沒有芯片采用;當然台積電的良率雖然高一些,卻也達到5納米以上工藝的九成以上良率,成本也高。

導致如此結果的原因之一就是第一代EUV光刻機并不適合用于生產3納米工藝,光刻機已是芯片工藝最重要的設備,為此ASML早就已推進第二代EUV光刻機的研發,第二代EUV光刻機可以用于3納米以下工藝。

不過第二代EUV光刻機的技術難度太高,需要全球5000家企業配合才能生產出來,導致ASML的研發進程緩慢,量產難度也大,預計明年只能生產10台第二代EUV光刻機,之后也只能增產到每年20台。

二、美國圖謀台積電

數年前美國就要求台積電上交機密數據,隨即還要求台積電、三星等赴美設廠,并以520億美元芯片補貼作為誘惑,最終促使它們順從。

不過隨著台積電和三星在美國的工廠推進,美國承諾的芯片補貼最終只是給了台積電10%,三星給13%,超過七成的芯片補貼都給了美國本土的Intel、美光等,隨后又給出芯片補貼細則,要求共享技術、利潤等,變相促使台積電和三星舍棄補貼。

不給芯片補貼,對于台積電來說可能還是小事,核心技術機密的泄露才是台積電等更擔憂的事情,隨著台積電交出機密數據,Intel的7納米工藝就迅速推進,Intel的7納米工藝被認為等同于台積電的4納米工藝,如此的巧合讓人深思。

Intel此前在14納米工藝量產后,在10納米、7納米工藝的研發方面都遭遇了巨大的困難,足足延遲了9年時間才量產7納米工藝,而同期台積電的芯片工藝卻從落后于Intel到如今遙遙領先。

很顯然美國的目的最終還是幫助美國本土的Intel確保技術領先優勢,再到如今獲取6台第二代EUV光刻機,加速推進2納米工藝,也就意味著美國即將重奪芯片制造工藝技術領先優勢。

三、美國重奪芯片制造技術優勢

台積電雖然已量產3納米工藝,但是由于現有的第一代EUV光刻機并不適合生產3納米工藝,當然更不適合生產更先進的2納米工藝,這對台積電來說正帶來巨大的困難。

據悉台積電已計劃不斷改良3納米工藝,2024年有N3E、N3P,2025年有N3X,似乎顯示出它也認識到2納米工藝研發的難度很大,由此而不得不斷延續3納米工藝的壽命,預計2納米工藝得在2026年量產。

這一切是如此熟悉,當年Intel在量產14納米工藝之后,10納米工藝推進困難,就不斷在14納米工藝上擠牙膏,直到2019年量產10納米,這樣的時間給予台積電反超的機會,如今台積電在3納米工藝上陷入停滯,Intel反超也就有希望。

Intel在明年獲取10台第二代EUV光刻技的6台,有了更先進的光刻機,Intel很可能將在2025年量產2納米,比台積電提前一年,取得技術領先優勢。

美國多年來為了確保自己的技術優勢,一再采取了類似的手段,1990年代日本芯片曾占全球芯片市場五成份額,在美國的壓制下日本芯片迅速衰敗到如今僅占全球芯片市場10%的份額,還有阿爾斯通事件最終確保了美國通用重奪電氣市場的優勢,如今芯片技術一如以往。


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