持續幾年的科技戰已經讓美方樂此不疲，直至前段時間，美國商務部部長雷蒙多訪華時慘遭華為Mate 60 Pro的當頭一棒，經此一事后，美國一眾官員都陷入了久久的沉思。

拜登或許怎麼也沒有想到，精心設計的「小院高墻」終究還是破防了，更令他氣憤的是，中方在「華為Mate 60 Pro」之后再度放出了一個「大招」，拜登不愿看到的終究還是出現了。

華為突破美國的「小院高墻」

對于華為在云計算、5G通訊技術和大數據等領域的出色表現，美國的做法并不是勇于承認和贊許，反而是無盡的制裁與打壓，這使得華為的業務發展陷入了幾年的沉寂期。

在幾年科技戰博弈期間，美對于華為的遏制延伸至了整個半導體生態鏈之中，該領域大體上涵蓋了未來的高科技行業。

早前，拜登一邊在中國的巨觀經濟上故弄玄虛，一邊還忙不迭地頒布了對華投資禁令，雷蒙多訪華前還在華為受限一事上大放闕詞，這種種跡象看來，美國奉行的「小院高墻」似乎都進行得十分順利。

「小院高墻」的策略本來是借由美國、荷蘭和日本等國聯盟小圈子演化而來的，旨在阻止中國一眾智能化高新技術的前進步伐，光刻機、晶圓和一眾半導體材料都不曾幸免，除了日本和荷蘭等半導體盟國外，中國想要入手購買先進芯片的機會是微乎其微的。

面對美國及其一眾追隨者的圍追堵截，中國開始在國產化半導體領域中奮起直追，企業和相關部門都盡力地協同資源，對于半導體芯片的發展予以了全力的投資與扶持。

緊接著，中國在高端光刻機的領域中再度祭出了一個大招——上海光學精密機械研究所成功研發出了「新型錫液滴發生器」。這一尖端設備的面世直接意味著中國在EUV光刻機光源的研發中尋得了巨大的突破。

要知道，EUV光刻機可是目前最尖端的光刻機，全球也僅有荷蘭ASML能夠完整生產。可如今，中國在絕境中也進入了EUV光刻機的生態，并且還取得了一些不錯的成效。新型錫液滴發生器的成功研發將為中國EUV光刻機的發展創造了一定的條件，假以時日，中國或將繼續在該領域突飛猛進，最終超越荷蘭ASML也不是沒有可能的。

陰謀破碎，拜登心都碎了

拜登上台后延續了前任的遏華策略，始終在打壓和制裁中國高科技企業上不留余力。為了擠壓中國高新企業的生存空間，拜登動用了媒體輿論和法律等手段編造了一系列陰謀，試圖以此來阻止中國在半導體領域的前進腳步。

《芯片與可科學法案》、三方協議、四方聯盟、《削減通貨膨脹法案》、出口限制和對華投資禁令等舉措相繼祭出，中國的半導體的發展前景瞬時蒙上了一層灰霧。從近幾年的博弈情況來看，拜登的一系列遏華策略確實起到了不小的效果，中國的高科技和吸引外資能力都大受影響。

眼看中國因為半導體的缺乏而陷入了困境，拜登決定乘勝追擊，在雷蒙多訪華談判之際公然地在社媒上唱衰中國的經濟態勢，試圖以此來為中美的線下談判增加籌碼。在種種輿論氛圍的加持之下，雷蒙多的訪華似乎就是拜登為了簽訂「城下之盟」而來，算是拜登有效打壓中國的體現。

然而，情況很快便發生了意想不到的改變，拜登一直擔憂的事情終究還是發生了。華為Mate 60 Pro的殺出直接粉碎了拜登想要簽訂「城下之盟」的美好愿景，拜登此前一直奉行的「小院高墻」策略基本上宣告失效。

科技戰一直都是拜登遏華的王牌，但如今的華為Mate 60 Pro卻狠狠地打臉了這張王牌，拜登擔憂中國突破高新技術的事情終究還是發生了。這已經預示著中國在高端芯片中積攢了不俗的實力，繼續發展下去必將迎頭趕上國際最先進水平。

更令拜登氣憤的是，中國還在EUV光刻機的「新型錫液滴發生器」取得了重大的突破，這無疑是中國在國產半導體領域中祭出的又一個大招，拜登遏制中國高科技發展的陰謀終究還是落空了。

種種發展趨勢都在表明，中國的高科技發展基本上已經克服了芯片受限的問題，拜登的「小院高墻」策略已然走向了失敗。科技戰持續至今，中國已經實現了華麗的轉身，昔日的被動終究還是迎來了破曉時刻，這一切的轉變，皆源于全體中國人為了克服困難而下定的決心。