眾所周知,我們說一款手機芯片時,大機率會提到它是什麼工藝,誰制造的。比如即將發布的iPhone15,搭載蘋果A17芯片,采用台積電3nm工藝。
這個工藝數字越小,一定程度上會說這款芯片越先進,比如大家就很明顯的認為:3nm>5nm>7nm>10nm>14nm。
不過大家要注意的是,這個多少納米工藝,有時候是不能橫向比較的,只能縱向比較,比如台積電的5nm和三星的5nm,可能并不是一回事。
三星的5nm,也未必就一定比英特爾的7nm強,這是因為現在的XX納米,已經與以前不一樣了,以前的芯片工藝,是取決于晶體管的柵極長度,長度是多少,則工藝是多少。
但後來晶圓廠們,已經不按這個來了,台積電高管就曾公開承認過,XX納米只是數字游戲,大家不必太認真,晶圓廠們喜歡將數字搞小一點,是為了營銷。
所以,目前很多專業人士,評價芯片工藝時,一般還會參考晶體管密度。因為芯片由晶體管組成,同樣面積下,晶體管越多,密度越高,性能就越強。
上圖,就是台積電、三星、英特爾這幾大廠商在不同工藝下的晶體管密度,差距一目了然,三星的摻水最嚴重,特別是在7nm之后,三星的芯片晶體管密度,差了好遠,而台積電次之,英特爾的最嚴格,密度最高。
那麼問題來了,最近華為的麒麟9000S芯片,如果用晶體管密度來算的話,究竟是什麼工藝水平呢?畢竟網友們實在是太關心這個事情了。
國外機構發布了麒麟9000S電鏡掃描結果,其晶體管密度為0.98BTr/mm²,也就是0.98億個每平方毫米。對照上圖,很容易就出來了,大約是台積電7nm、三星7nm的水平,甚至密度還高那麼一絲絲了。
如果要與英特爾的比的話,從晶體管密度來看,只等同于英特爾的10nm,甚至還略微的遜色一籌。
這基本可以說明,這是一顆7nm的芯片,并且其技術水平,與三星、台積電的7nm水平差不多,畢竟晶體管密度也差不多。
相信這個結果,已經能夠幫大家解答很多疑惑了,而7nm也是DUV光刻機制造芯片的極限,采用DUV光刻機,使用多重曝光工藝,最高能夠制造7nm芯片。